Številka izdelka proizvajalca:
AOWF10N65
Product Overview
Proizvajalec:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
AOWF10N65-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Zaloga:
12849091
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AOWF10N65 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1645 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262F
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
AOWF10
Tehnični list in dokumenti
Risbe izdelkov
Dodatne informacije
Druga imena
5202-AOWF10N65
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
AON7408
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
