CC-C2-B15-0322
Številka izdelka proizvajalca:

CC-C2-B15-0322

Product Overview

Proizvajalec:

CoolCAD

DiGi Electronics Številka dela:

CC-C2-B15-0322-DG

Opis:

SiC Power MOSFET 1200V 12A
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247

Zaloga:

30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13373452
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

CC-C2-B15-0322 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Pakiranje
Bulk
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
135mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
3.2V @ 5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (maks)
+15V, -5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1810 pF @ 200 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-4

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
3892-CC-C2-B15-0322
Standardni paket
5

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay

SIRS4302DP-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-