2N7002-7-F
Številka izdelka proizvajalca:

2N7002-7-F

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

2N7002-7-F-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

542836 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12882636
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

2N7002-7-F Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
370mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
2N7002

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
2N7002 Datasheet
HTML tehnični list
2N7002-7-F-DG
Tehnični listi
2N7002-7-F

Dodatne informacije

Druga imena
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26