Številka izdelka proizvajalca:
2N7002DWQ-13-F
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
2N7002DWQ-13-F-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 230mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Zaloga:
10000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12987362
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2N7002DWQ-13-F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
230mA (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50pF @ 25V
Moč - največja
310mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SOT-363
Osnovna številka izdelka
2N7002
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
31-2N7002DWQ-13-FTR
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CAS175M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 228A
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
