BSS127SSN-7
Številka izdelka proizvajalca:

BSS127SSN-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

BSS127SSN-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Podroben opis:
N-Channel 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

6785 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946666
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

BSS127SSN-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
160Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.08 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
21.8 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
610mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
BSS127

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
BSS127SSN-7DITR
BSS127SSN-7DICT
BSS127SSN-7DIDKR
BSS127SSN7
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1