Številka izdelka proizvajalca:
DMG3415UQ-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMG3415UQ-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Podroben opis:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Zaloga:
3166 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12978811
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMG3415UQ-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
294 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
DMG3415
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMG3415UQ-7CT
31-DMG3415UQ-7DKR
31-DMG3415UQ-7TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMTH84M1SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP1008UCB9-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
DMW2013UFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
