Številka izdelka proizvajalca:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMG4800LK3-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Zaloga:
6452 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12882857
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMG4800LK3-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.6V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
798 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.71W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
DMG4800
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2N7002TQ-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
