Številka izdelka proizvajalca:
DMG4N65CTI
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMG4N65CTI-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Zaloga:
12882720
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMG4N65CTI Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
8.35W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ITO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
DMG4
Dodatne informacije
Druga imena
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TSM4ND65CI
PROIZVAJALEC
Taiwan Semiconductor Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
1845
ŠTEVILKA DELA
TSM4ND65CI-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
