DMG6402LDM-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMG6402LDM-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMG6402LDM-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Podroben opis:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.12W (Ta) Surface Mount SOT-26

Zaloga:

4343 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12888089
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMG6402LDM-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
404 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.12W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-26
Paket / Primer
SOT-23-6
Osnovna številka izdelka
DMG6402

Dodatne informacije

Druga imena
DMG6402LDM-7DITR
DMG6402LDM7
DMG6402LDM-7DICT
DMG6402LDM-7DIDKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

DMJ65H190SCTI

MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A

diodes

DMS3014SSS-13

MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO

diodes

DMTH4005SCT

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

diodes

DMT69M8LFV-13

MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333