Številka izdelka proizvajalca:
DMG6898LSD-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMG6898LSD-13-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
Zaloga:
25653 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12888813
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMG6898LSD-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1149pF @ 10V
Moč - največja
1.28W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
DMG6898
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMG6898LSD13
DMG6898LSD-13DIDKR
DMG6898LSD-13DICT
DMG6898LSD-13DITR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMC62D0SVQ-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
DMP2060UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
DMN2005DLP4K-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
