DMG7N65SJ3
Številka izdelka proizvajalca:

DMG7N65SJ3

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMG7N65SJ3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251

Zaloga:

12884126
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMG7N65SJ3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
Automotive, AEC-Q101
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
886 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-251
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
DMG7N65

Dodatne informacije

Standardni paket
75

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DMPH6050SFGQ-7

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

2N7002-7

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

diodes

DMT6013LSS-13

MOSFET N-CH 60V 10A 8SO

diodes

DMN2080UCB4-7

MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4