Številka izdelka proizvajalca:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMG7N65SJ3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Zaloga:
12884126
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMG7N65SJ3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
Automotive, AEC-Q101
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
886 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-251
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
DMG7N65
Dodatne informacije
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
