DMN2011UFDE-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMN2011UFDE-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN2011UFDE-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Podroben opis:
N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Zaloga:

44870 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12882931
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN2011UFDE-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2248 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
610mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Primer
6-PowerUDFN
Osnovna številka izdelka
DMN2011

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
DMN2011UFDE-7DIDKR
DMN2011UFDE-7DITR
DMN2011UFDE-7DICT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DMN3025LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN

diodes

DMN62D0U-13

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23

diodes

DMP4011SK3-13

MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252

diodes

DMN3730UFB4-7

MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN