Številka izdelka proizvajalca:
DMN2012UCA6-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN2012UCA6-7-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Podroben opis:
Mosfet Array 24V 13A (Ta) 820mW Surface Mount X3-DSN2718-6
Zaloga:
12884603
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN2012UCA6-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
24V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26nC @ 4V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2417pF @ 10V
Moč - največja
820mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD, No Lead
Paket naprav dobavitelja
X3-DSN2718-6
Osnovna številka izdelka
DMN2012
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
DMN3013LDG-7
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
DMN2041UFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
