DMN2015UFDF-13
Številka izdelka proizvajalca:

DMN2015UFDF-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN2015UFDF-13-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Podroben opis:
N-Channel 20 V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Zaloga:

12882093
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN2015UFDF-13 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1439 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
U-DFN2020-6
Paket / Primer
6-UDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
DMN2015

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
10,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
DMN2015UFDF-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
3000
ŠTEVILKA DELA
DMN2015UFDF-7-DG
CENA ENOTE
0.12
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

diodes

DMTH4004SK3Q-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO252

diodes

DMT10H015LK3-13

MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

diodes

2N7002H-7

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23