Številka izdelka proizvajalca:
DMN2025U-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN2025U-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Podroben opis:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Zaloga:
3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12887932
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN2025U-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
0.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
485 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
800mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
DMN2025
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMN2025U-7DKR
31-DMN2025U-7CT
DMN2025U-7-DG
31-DMN2025U-7TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BS170PSTOA
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
DMT3009LFVWQ-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
