DMN2025UFDF-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMN2025UFDF-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN2025UFDF-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Podroben opis:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Zaloga:

3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891571
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN2025UFDF-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
486 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Primer
6-UDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
DMN2025

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
DMN2025UFDF-7-DG
31-DMN2025UFDF-7TR
31-DMN2025UFDF-7CT
31-DMN2025UFDF-7DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J503NU,LF

MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP