Številka izdelka proizvajalca:
DMN2310UTQ-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN2310UTQ-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Podroben opis:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Zaloga:
2963 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12987631
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN2310UTQ-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
950mV @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
38 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
290mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-523
Paket / Primer
SOT-523
Osnovna številka izdelka
DMN2310
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMN2310UTQ-7DKR
31-DMN2310UTQ-7TR
31-DMN2310UTQ-7CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMN2310UT-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
DMN2310UT-13-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQP19N20-T
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
GP2T080A120H
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
TW045N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
