Številka izdelka proizvajalca:
DMN2450UFD-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN2450UFD-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Podroben opis:
N-Channel 20 V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Zaloga:
21382 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12899559
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN2450UFD-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
900mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
52 pF @ 16 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
400mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
X1-DFN1212-3
Paket / Primer
3-UDFN
Osnovna številka izdelka
DMN2450
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMN2450UFD-7DICT
DMN2450UFD-7DIDKR
DMN2450UFD-7DITR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
