Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
DMN3010LFG-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN3010LFG-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Podroben opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12883819
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN3010LFG-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta), 30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2075 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMN3010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
DMN3010LFG
HTML tehnični list
DMN3010LFG-13-DG
Tehnični listi
DMN3010LFG-13
Dodatne informacije
Druga imena
DMN3010LFG-13DI
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
CSD17579Q3A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
41250
ŠTEVILKA DELA
CSD17579Q3A-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
CSD17579Q3AT
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
5016
ŠTEVILKA DELA
CSD17579Q3AT-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RQ3E120BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2880
ŠTEVILKA DELA
RQ3E120BNTB-DG
CENA ENOTE
0.16
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RQ3E120GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
11286
ŠTEVILKA DELA
RQ3E120GNTB-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMN3010LFG-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
23333
ŠTEVILKA DELA
DMN3010LFG-7-DG
CENA ENOTE
0.16
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMP1081UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
DMN3010LFG-7
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
DMN601WKQ-13
MOSFET N-CH 60V SOT323
DMP4013LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333