DMN3015LSD-13

Številka izdelka proizvajalca:

DMN3015LSD-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN3015LSD-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Podroben opis:

Mosfet Array 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO

Zaloga:

5165 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12884408

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMN3015LSD-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

30V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

8.4A (Ta)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

15mOhm @ 12A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1415pF @ 15V

Moč - največja

1.2W

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket naprav dobavitelja

8-SO

Osnovna številka izdelka

DMN3015

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMN3015LSD-13-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

DMN3015LSD-13DICT

DMN3015LSD-13DITR

DMN3015LSD-13DIDKR

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMC1028UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN

diodes

2N7002DW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

diodes

DMC1229UFDB-13

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

diodes

DMC1029UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN