Številka izdelka proizvajalca:

DMN3016LDN-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN3016LDN-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN

Podroben opis:

Mosfet Array 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12882732

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMN3016LDN-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

9.2A (Ta)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

20mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1415pF @ 15V

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

8-PowerVDFN

Paket naprav dobavitelja

V-DFN3030-8 (Type J)

Osnovna številka izdelka

DMN3016

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMN3016LDN-13-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

10,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMC2710UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6

diodes

DMN3032LFDB-7

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

diodes

DMC3016LDV-7

MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333

diodes

DMC4040SSDQ-13

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO