DMN3027LFG-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMN3027LFG-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN3027LFG-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Zaloga:

2854 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12899923
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN3027LFG-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
580 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMN3027

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
DMN3027LFG-7DITR
DMN3027LFG-7DICT
DMN3027LFG-7DIDKR
Standardni paket
2,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
taiwan-semiconductor

TSM120N06LCP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252

taiwan-semiconductor

TSM680P06CH X0G

MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251

diodes

DMT6016LFDF-7

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM500P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23