DMN3115UDM-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMN3115UDM-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN3115UDM-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Podroben opis:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12900131
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN3115UDM-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
476 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-26
Paket / Primer
SOT-23-6
Osnovna številka izdelka
DMN3115

Dodatne informacije

Druga imena
DMN3115UDMDIDKR
DMN3115UDMDITR
DMN3115UDM7
DMN3115UDMDICT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB