DMN33D8LDW-13

Številka izdelka proizvajalca:

DMN33D8LDW-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN33D8LDW-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

Podroben opis:

Mosfet Array 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12888357

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMN33D8LDW-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

30V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

250mA

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 100µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

1.23nC @ 10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

48pF @ 5V

Moč - največja

350mW

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paket naprav dobavitelja

SOT-363

Osnovna številka izdelka

DMN33

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMN33D8LDW-13-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

10,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMN65D8LDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

diodes

DMP32D9UDA-7B

MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN

diodes

DMN53D0LDW-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

diodes

DMP2160UFDBQ-7

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN