Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
DMN6013LFG-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN6013LFG-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Podroben opis:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12888024
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN6013LFG-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2577 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMN6013
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
DMN6013LFG
HTML tehnični list
DMN6013LFG-13-DG
Tehnični listi
DMN6013LFG-13
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMN6013LFG-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
25330
ŠTEVILKA DELA
DMN6013LFG-7-DG
CENA ENOTE
0.23
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
DMN6013LFGQ-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
1960
ŠTEVILKA DELA
DMN6013LFGQ-7-DG
CENA ENOTE
0.28
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
TPH7R006PL,L1Q
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
54092
ŠTEVILKA DELA
TPH7R006PL,L1Q-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO