DMN60H3D5SK3-13

Številka izdelka proizvajalca:

DMN60H3D5SK3-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN60H3D5SK3-13-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Podroben opis:

N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12901270

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMN60H3D5SK3-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

600 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

2.8A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

3.5Ohm @ 1.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±30V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

354 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

41W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

TO-252 (DPAK)

Paket / Primer

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Osnovna številka izdelka

DMN60

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stanje uredbe REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMN2004WK-7

MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

diodes

DMN3009LFV-7

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

diodes

BS170PSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE

diodes

DMTH6016LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333