Številka izdelka proizvajalca:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN61D8LVT-13-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Zaloga:
9150 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12901235
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN61D8LVT-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
630mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12.9pF @ 12V
Moč - največja
820mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket naprav dobavitelja
TSOT-26
Osnovna številka izdelka
DMN61
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
DMT3022UEV-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
BSS8402DWQ-7
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363