DMN61D9UT-7
Številka izdelka proizvajalca:

DMN61D9UT-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN61D9UT-7-DG

Opis:

2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Podroben opis:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Zaloga:

12979110
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN61D9UT-7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
28.5 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
260mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-523
Paket / Primer
SOT-523
Osnovna številka izdelka
DMN61

Dodatne informacije

Druga imena
31-DMN61D9UT-7TR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DMT8008SCT

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

diodes

DMT61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

toshiba-semiconductor-and-storage

TK170V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

diodes

DMG3420UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3