Številka izdelka proizvajalca:
DMN67D8LDW-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN67D8LDW-13-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
Zaloga:
12882331
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN67D8LDW-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
230mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.82nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
22pF @ 25V
Moč - največja
320mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
SOT-363
Osnovna številka izdelka
DMN67
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMC3025LNS-13
MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
DMG4800LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
2N7002VAC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
