DMN95H2D2HCTI
Številka izdelka proizvajalca:

DMN95H2D2HCTI

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN95H2D2HCTI-DG

Opis:

MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Podroben opis:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12884507
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMN95H2D2HCTI Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1487 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ITO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
DMN95

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
DMN95H2D2HCTI
HTML tehnični list
DMN95H2D2HCTI-DG
Tehnični listi
DMN95H2D2HCTI

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

DMN10H099SK3-13

MOSFET N-CH 100V 17A TO252

diodes

DMG3415U-13

MOSFET P-CH DFN-3

diodes

DMG2301LK-7

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

diodes

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4