Številka izdelka proizvajalca:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN95H8D5HCTI-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Podroben opis:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Zaloga:
18 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12884090
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN95H8D5HCTI Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ITO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
DMN95
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFP5N100PM
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
207
ŠTEVILKA DELA
IXFP5N100PM-DG
CENA ENOTE
3.67
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMPH4015SSS-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
