Številka izdelka proizvajalca:

DMNH6065SPDW-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMNH6065SPDW-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50

Podroben opis:

Mosfet Array 60V 27A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12892186

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMNH6065SPDW-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

60V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

27A (Tc)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

65mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

466pF @ 25V

Moč - največja

2.4W (Ta), 68W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Primer

8-PowerTDFN

Paket naprav dobavitelja

PowerDI5060-8 (Type R)

Osnovna številka izdelka

DMNH6065

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMNH6065SPDW-13-DG

Tehnični listi

DMNH6065SPDW-13

Dodatne informacije

Druga imena

DMNH6065SPDW-13DI

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMC2700UDMQ-7

MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM680P06DPQ56 RLG

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

micro-commercial-components

SIL2623-TP

MOSFET 2P-CH 30V 3A SOT23-6L

diodes

DMP2100UFU-13

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN