Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
DMP2010UFG-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMP2010UFG-7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Podroben opis:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Zaloga:
4571 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12888679
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMP2010UFG-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3350 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMP2010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
DMP2010UFG
HTML tehnični list
DMP2010UFG-7-DG
Tehnični listi
DMP2010UFG-7
Dodatne informacije
Druga imena
DMP2010UFG-7DICT
DMP2010UFG-7DITR
DMP2010UFG-7DIDKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMPH3010LPS-13
MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8