DMS2220LFW-7

Številka izdelka proizvajalca:

DMS2220LFW-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMS2220LFW-7-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

Podroben opis:

P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020 (3x2)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12899484

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMS2220LFW-7 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

20 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

2.9A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

1.8V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

95mOhm @ 2.8A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.3V @ 250µA

Vgs (maks)

±12V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

632 pF @ 10 V

Funkcija FET

Schottky Diode (Isolated)

Odvajanje moči (maks.)

1.5W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-DFN3020 (3x2)

Paket / Primer

8-VDFN Exposed Pad

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMS2220LFW-7-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

DMS2220LFWDICT

DMS2220LFW7

DMS2220LFWDITR

DMS2220LFWDIDKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

taiwan-semiconductor

TSM70N1R4CP ROG

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252

taiwan-semiconductor

TSM70N900CH C5G

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM70N600ACL X0G

MOSFET N-CH 700V 8A TO262S

TSM1NB60SCT B0

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92