Številka izdelka proizvajalca:
DMS3014SFGQ-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMS3014SFGQ-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Zaloga:
11686 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889111
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMS3014SFGQ-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4310 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMS3014
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
DMS3014SFGQ-7DIDKR
DMS3014SFGQ-7-DG
DMS3014SFGQ-7DICT
DMS3014SFGQ-7DITR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K36MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
SSM6J422TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
SSM3K7002CFU,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA USM
