Številka izdelka proizvajalca:
DMT10H015LCG-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT10H015LCG-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
Zaloga:
3980 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12884936
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT10H015LCG-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.4A (Ta), 34A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1871 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 155°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
V-DFN3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT10H015LCG-7DKR
DMT10H015LCG-7-DG
31-DMT10H015LCG-7CT
31-DMT10H015LCG-7TR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN3730UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
DMS3012SFG-13
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
DMP58D0LFB-7
MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
