Številka izdelka proizvajalca:
DMT10H015LFG-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT10H015LFG-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Zaloga:
3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12884799
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT10H015LFG-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta), 42A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1871 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT10H015LFG-13CT
DMT10H015LFG-13DI
DMT10H015LFG-13DI-DG
31-DMT10H015LFG-13DKR
31-DMT10H015LFG-13TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
