Številka izdelka proizvajalca:
DMT35M4LFVW-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT35M4LFVW-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Podroben opis:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 60A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Zaloga:
2000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13000759
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT35M4LFVW-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16A (Ta), 60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
982 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT35M4LF
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT35M4LFVW-7TR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMT10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
