DMT43M8LFV-13

Številka izdelka proizvajalca:

DMT43M8LFV-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMT43M8LFV-13-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333

Podroben opis:

N-Channel 40 V 87A (Tc) 2.25W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12894650

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMT43M8LFV-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

40 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

87A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

4mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

44.4 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

3213 pF @ 20 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.25W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

PowerDI3333-8 (Type UX)

Paket / Primer

8-PowerVDFN

Osnovna številka izdelka

DMT43

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMT43M8LFV-13-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

taiwan-semiconductor

TSM60NB900CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

diodes

DMP4025SFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

diodes

DMT10H072LFDF-13

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220