DMT6009LCT

Številka izdelka proizvajalca:

DMT6009LCT

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMT6009LCT-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB

Podroben opis:

N-Channel 60 V 37.2A (Tc) 2.2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

838 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12884169

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMT6009LCT Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tube

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

37.2A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±16V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1925 pF @ 30 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.2W (Ta), 25W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

TO-220-3

Paket / Primer

TO-220-3

Osnovna številka izdelka

DMT6009

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

DMT6009LCTDI-5

Standardni paket

50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMPH6050SFGQ-13

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

BSS123W-7

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

diodes

DMN2028UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN

diodes

DMP6185SEQ-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223