Številka izdelka proizvajalca:
DMT6012LFDF-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT6012LFDF-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Podroben opis:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Zaloga:
12882374
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT6012LFDF-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
785 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Primer
6-UDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
DMT6012
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT6012LFDF-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
3000
ŠTEVILKA DELA
DMT6012LFDF-7-DG
CENA ENOTE
0.20
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMNH6042SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
DMTH6016LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
DMN5L06W-7
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT323