Številka izdelka proizvajalca:
DMT6017LFV-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT6017LFV-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Podroben opis:
N-Channel 65 V 36A (Tc) 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Zaloga:
12888157
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT6017LFV-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
65 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
891 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT6017
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT6017LFV-7CT
DMT6017LFV-7-DG
31-DMT6017LFV-7TR
31-DMT6017LFV-7DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMT6015LPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMP4025LK3-13
MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
DMP32D4S-7
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
