Številka izdelka proizvajalca:
DMT64M8LCG-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT64M8LCG-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Podroben opis:
N-Channel 60 V 16.1A (Ta), 77.8A (Tc) 990mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Zaloga:
12979178
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT64M8LCG-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
47.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2664 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
990mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT64M8LCG-13TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT64M8LCG-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
DMT64M8LCG-7-DG
CENA ENOTE
0.33
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMP31D7L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3009LFVQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMP6250SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R