Številka izdelka proizvajalca:
DMT69M5LFVWQ-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT69M5LFVWQ-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Podroben opis:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Zaloga:
13000877
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT69M5LFVWQ-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1406 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT69M5LFVWQ-13TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT69M5LFVWQ-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
DMT69M5LFVWQ-7-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
