Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
DMTH10H010LCTB-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMTH10H010LCTB-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 100 V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount TO-263
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12894760
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMTH10H010LCTB-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
108A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2592 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
DMTH10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
DMTH10H010LCTB
HTML tehnični list
DMTH10H010LCTB-13-DG
Tehnični listi
DMTH10H010LCTB-13
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMTH10H010LCTB-13CT
DMTH10H010LCTB-13-DG
31-DMTH10H010LCTB-13DKR
31-DMTH10H010LCTB-13TR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFA130N10T2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFA130N10T2-DG
CENA ENOTE
2.41
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTA130N10T-TRL
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTA130N10T-TRL-DG
CENA ENOTE
2.33
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTA130N10T7
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTA130N10T7-DG
CENA ENOTE
2.91
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFS4410ZTRLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
10843
ŠTEVILKA DELA
IRFS4410ZTRLPBF-DG
CENA ENOTE
1.19
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMTH6010SK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
DMT30M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
DMP3020LSS-13
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
DMN53D0U-13
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23