DMTH6010LPD-13

Številka izdelka proizvajalca:

DMTH6010LPD-13

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMTH6010LPD-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Podroben opis:

Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8

Zaloga:

4940 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12884949

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMTH6010LPD-13 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

60V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

11mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

2615pF @ 30V

Moč - največja

2.8W

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Razred

Automotive

Kvalifikacija

AEC-Q101

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

8-PowerTDFN

Paket naprav dobavitelja

PowerDI5060-8

Osnovna številka izdelka

DMTH6010

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMTH6010LPD-13-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

DMTH6010LPD-13DICT

DMTH6010LPD-13DITR

DMTH6010LPD-13DIDKR

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

ZXMP6A16DN8TC

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO

diodes

ZXMP3A16DN8TA

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO

diodes

ZXMD63P03XTA

MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

diodes

ZXMC10A816N8TC

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO