Številka izdelka proizvajalca:
DMTH6012LPSW-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMTH6012LPSW-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Podroben opis:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Zaloga:
13270045
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMTH6012LPSW-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
785 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI5060-8 (Type Q)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
DMTH6012
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMTH6012LPSW-13TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8