Številka izdelka proizvajalca:
DMTH6016LPDQ-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMTH6016LPDQ-13-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Zaloga:
77 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12884129
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMTH6016LPDQ-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
864pF @ 30V
Moč - največja
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Paket naprav dobavitelja
PowerDI5060-8
Osnovna številka izdelka
DMTH6016
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMTH6016LPDQ-13CT
DMTH6016LPDQ-13-DG
31-DMTH6016LPDQ-13TR
31-DMTH6016LPDQ-13DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMC2710UV-13
MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
DMT6018LDR-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
DMN5L06VK-7-G
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
