Številka izdelka proizvajalca:
DMTH69M8LFVWQ-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMTH69M8LFVWQ-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Podroben opis:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Zaloga:
2000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12883605
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMTH69M8LFVWQ-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1925 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMTH69
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMTH69M8LFVWQ-7TR
31-DMTH69M8LFVWQ-7CT
31-DMTH69M8LFVWQ-7DKR
DMTH69M8LFVWQ-7DI-DG
DMTH69M8LFVWQ-7DI
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN24H3D6S-7
MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23
DMTH3002LPS-13
MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
DMN6040SFDEQ-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
