Številka izdelka proizvajalca:
ZVN3310ASTZ
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZVN3310ASTZ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Podroben opis:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Zaloga:
12906218
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
GyP0
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZVN3310ASTZ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
40 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
625mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
E-Line (TO-92 compatible)
Paket / Primer
E-Line-3
Osnovna številka izdelka
ZVN3310
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-ZVN3310ASTZDKR
31-ZVN3310ASTZDKR-DG
31-ZVN3310ASTZCT
31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE
ZVN3310ASTZ-DG
31-ZVN3310ASTZTR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZXMP10A18GTA
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
IRFR310TR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK